Аспирантура
1.3.8
форма обучения: очная
Физика конденсированного состояния
в ЮУрГУ · Челябинск
«Физика конденсированного состояния» — программа уровня «аспирантура»
в вузе ЮУрГУ (Челябинск),
направление подготовки 1.3.8 «Физика конденсированного состояния».
Бюджетных мест — 0, платных — 3, стоимость обучения — 232 000 ₽/год. Ниже — динамика баллов по годам, количество мест и стоимость.
📋 Конкурс на эту программу — приём 2026
Живые конкурсные списки по всем видам мест — основные, целевая, особая и отдельная квоты.
«Порог сейчас» считается по всем подавшим и почти всегда завышен: большинство стоящих выше
уйдут в другие вузы. Реальную границу лучше показывает «проходной по согласиям»,
а по завершении кампании — балл с пометкой «приказ»: фактический проходной последнего
зачисленного (на платных местах — по договорам и оплате).
Обновлено: 2026-09-07 16:08:11.
| Вид мест / форма |
Мест |
Подано |
СогласийСколько человек подали согласие на зачисление именно сюда. Согласие можно держать только в одном вузе на одном направлении, поэтому это самые реальные претенденты на места. |
ПроходнойС пометкой «приказ» — фактический балл последнего зачисленного по приказу (для платных мест — по договорам и оплате). Без пометки — проходной по согласиям: балл последнего человека С СОГЛАСИЕМ, помещающегося в число мест. «—» — границы нет: либо приказ по группе не публиковался, либо согласий меньше, чем мест. |
Порог по всемСумма баллов последнего в пределах мест, если считать ВСЕХ подавших. Почти всегда завышен: большинство стоящих выше уйдут в другие вузы или на свои первые приоритеты. Не финальный проходной. |
|
|
Платные места Очная · Аспирантура
|
3 |
1 |
0 |
— |
— |
Список → |
История приёма
| Год |
БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году. |
ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году. |
Мест БЧисло бюджетных мест в этом году. |
Мест ПЧисло платных мест в этом году. |
Цена/год |
|
2026 ориентир.
|
— |
— |
0 |
3 |
232 000 ₽ |
Об обучении на программе
Аспиранты исследуют свойства твёрдых тел и других конденсированных сред, связывая их атомное строение с механическими, электрическими, магнитными и тепловыми характеристиками. Темы диссертаций охватывают фазовые переходы, дефекты кристаллической решётки, тонкие плёнки, наноструктуры, магнитные материалы и влияние внешних полей. В работе используют методы структурного и спектрального анализа, измерение физических свойств, компьютерное моделирование, статистическую обработку эксперимента и сопоставление результатов с моделями физики твёрдого тела.
ЮУрГУ расположен в крупном промышленном центре, поэтому исследования материалов естественно связаны с задачами металлургии, машиностроения и создания функциональных покрытий. Инженерная история университета дополняется фундаментальной физической подготовкой. Аспирант учится формулировать проверяемую гипотезу, выбирать метод исследования структуры и свойств, отделять влияние состава от условий обработки и представлять результаты в научных публикациях.
Программа подойдёт физикам, материаловедам и инженерам, которым интересны механизмы формирования свойств вещества. Степень кандидата физико-математических наук полезна для работы в университетах, научных институтах, центрах исследования материалов и подразделениях промышленной разработки. Выпускник способен планировать эксперимент, интерпретировать сложные измерения и предлагать физически обоснованные способы изменения характеристик материала.
О направлении «Физика конденсированного состояния»
Направление «Физика конденсированного состояния» (ФГОС 1.3.8) в аспирантуре готовит исследователей и разработчиков, способных изучать фундаментальные свойства твердых и жидких тел, а также сложных систем с упорядоченной структурой. В основе обучения лежит понимание квантово-механических принципов, статистической физики и теории взаимодействия частиц в конденсированных средах. Аспиранты осваивают современные экспериментальные и теоретические методы, включая компьютерное моделирование, для прогнозирования и анализа физических свойств материалов.
Ключевые дисциплины: теория твердого тела, физика полупроводников и диэлектриков, физика магнитных явлений, физика низких температур, спектроскопия конденсированных сред, методы выращивания кристаллов и тонких пленок. Студенты изучают электронную структуру, фононные спектры, фазовые переходы, транспортные явления, сверхпроводимость и наноструктурированные материалы. Большое внимание уделяется экспериментальным методикам: рентгеноструктурный анализ, сканирующая микроскопия, нейтронография, ЯМР и ЭПР.
Выпускник получает глубокие знания в области физики конденсированного состояния, навыки планирования и проведения научных экспериментов, умение обрабатывать данные с помощью статистических методов и программирования, компетенции в разработке новых материалов с заданными свойствами. Он способен решать задачи от синтеза образцов до интерпретации сложных спектров и создания теоретических моделей.
Применение: разработка электронных компонентов (транзисторы, датчики), создание сверхпроводящих устройств, магнитных материалов для хранения информации, фотоники, солнечной энергетики, термоэлектриков и квантовых компьютеров. Направление интересно своей фундаментальностью и прямым выходом в передовые технологии; особенность — междисциплинарность на стыке физики, химии и материаловедения.
Все вузы по направлению «Физика конденсированного состояния» →
Кем работать
Выпускники работают научными сотрудниками в академических институтах (РАН, Курчатовский институт), исследовательских центрах (Сколково, Росатом) и лабораториях при вузах. Востребованы как специалисты по материаловедению в высокотехнологичных компаниях (компании микроэлектроники, приборостроения, аэрокосмической отрасли). Возможные должности: физик-исследователь, инженер-исследователь, разработчик новых материалов, специалист по характеризации образцов, преподаватель. Перспективы — руководитель лаборатории, заведующий кафедрой, эксперт в области нанотехнологий. Рынок труда стабильно востребован, особенно в секторах, связанных с импортозамещением электроники и созданием новых функциональных материалов.