Кристаллография, физика кристаллов — ВГУИТ (Воронеж): проходной балл, места, ЕГЭ | Поступашкин
← Каталог / ВГУИТ / Кристаллография, физика кристаллов
Аспирантура 1.3.20 форма обучения: очная

Кристаллография, физика кристаллов

в ВГУИТ · Воронеж

«Кристаллография, физика кристаллов» — программа уровня «аспирантура» в вузе ВГУИТ (Воронеж), направление подготовки 1.3.20 «Кристаллография, физика кристаллов». Бюджетных мест — 0, платных — 1, стоимость обучения — 192 900 ₽/год. Ниже — динамика баллов по годам, количество мест и стоимость.

📋 Конкурс на эту программу — приём 2026

Живые конкурсные списки по всем видам мест — основные, целевая, особая и отдельная квоты. «Порог сейчас» считается по всем подавшим и почти всегда завышен: большинство стоящих выше уйдут в другие вузы. Реальную границу лучше показывает «проходной по согласиям», а по завершении кампании — балл с пометкой «приказ»: фактический проходной последнего зачисленного (на платных местах — по договорам и оплате). Обновлено: 2026-08-25 16:25:31.

Вид мест / форма Мест Подано СогласийСколько человек подали согласие на зачисление именно сюда. Согласие можно держать только в одном вузе на одном направлении, поэтому это самые реальные претенденты на места. ПроходнойС пометкой «приказ» — фактический балл последнего зачисленного по приказу (для платных мест — по договорам и оплате). Без пометки — проходной по согласиям: балл последнего человека С СОГЛАСИЕМ, помещающегося в число мест. «—» — границы нет: либо приказ по группе не публиковался, либо согласий меньше, чем мест. Порог по всемСумма баллов последнего в пределах мест, если считать ВСЕХ подавших. Почти всегда завышен: большинство стоящих выше уйдут в другие вузы или на свои первые приоритеты. Не финальный проходной.
Платные места Очная · Аспирантура 1 1 0 — 195 Список →
Все конкурсные группы вуза + найти себя по коду поступающего →

История приёма

Год БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году. ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году. Мест БЧисло бюджетных мест в этом году. Мест ПЧисло платных мест в этом году. Цена/год
2026 ориентир. — — 0 1 192 900 ₽

Об обучении на программе

Программа посвящена строению кристаллов, закономерностям их образования и связи структуры с физическими свойствами вещества. Диссертации могут исследовать рост кристаллов, фазовые переходы, дефекты решётки, текстуру, полиморфизм и влияние условий обработки на свойства материалов. Аспиранты осваивают рентгеноструктурный анализ, микроскопию, термические и спектральные методы, расчёт параметров структуры, моделирование кристаллических систем и количественную обработку дифракционных данных. Во ВГУИТ кристаллографические исследования могут развиваться на стыке физики, химии и технологии материалов. Химико-технологическая среда важна для изучения неорганических соединений, органических веществ, полимерных и композиционных систем, где кристалличность влияет на прочность, растворимость, стабильность и перерабатываемость. Работа может охватывать путь от получения образца и управления условиями кристаллизации до объяснения наблюдаемых свойств через особенности структуры. Программа подойдёт выпускникам физики, химии, материаловедения и технологических направлений, которым интересны точные инструментальные исследования вещества. Степень кандидата физико-математических наук подтверждает способность самостоятельно решать задачи структурного анализа и устанавливать связи между строением и свойствами. Эти навыки нужны в академической науке, материаловедении, химической и фармацевтической разработке, контроле качества и преподавании дисциплин о строении конденсированного вещества.

О направлении «Кристаллография, физика кристаллов»

Кристаллография изучает строение кристаллов и закономерности расположения атомов, а физика кристаллов – зависимость механических, электрических, оптических, магнитных и тепловых свойств от этой структуры. Объектами служат монокристаллы, поликристаллы, квазикристаллы, тонкие плёнки, дефектные и низкоразмерные структуры. От химии твёрдого тела направление отличается акцентом на симметрии и физических свойствах, а от общего материаловедения – фундаментальным анализом структуры. Исследования охватывают рост кристаллов, фазовые переходы, дефекты решётки, дифракцию, упругость, сегнетоэлектричество, пьезоэлектричество, оптические и транспортные явления. Темой диссертации могут стать структура нового соединения, влияние дислокаций на прочность, кинетика кристаллизации, доменная структура сегнетоэлектрика, фазовый переход под давлением, свойства фотонного кристалла или связь локального порядка с проводимостью. Аспирант осваивает теорию симметрии, физику твёрдого тела, термодинамику фазовых переходов, методы выращивания и структурной характеризации. Он применяет рентгеновскую, электронную или нейтронную дифракцию, микроскопию, спектроскопию, измерение физических свойств и компьютерное моделирование структуры. Кандидатские экзамены включают историю и философию науки, иностранный язык и специальную дисциплину. Обычно итогом является степень кандидата физико-математических наук. Результаты используются при создании полупроводников, оптических элементов, датчиков, пьезоматериалов, покрытий, конструкционных и функциональных материалов. Специальность связана с химией, минералогией, электроникой, оптикой и нанотехнологиями.
Все вузы по направлению «Кристаллография, физика кристаллов» →

Кем работать

Кандидаты наук работают в физических, химических и материаловедческих НИИ, университетах, центрах коллективного пользования, на предприятиях электронной, оптической и материаловедческой отраслей. Должности – научный сотрудник, кристаллограф, инженер по рентгеноструктурному анализу, специалист по росту кристаллов, микроскопии или характеризации материалов, разработчик функциональных материалов, преподаватель. Степень нужна для самостоятельной интерпретации структурных данных и руководства исследованиями. В промышленности она полезна при выявлении фаз, дефектов и причин нестабильных свойств материала, при выборе режима выращивания и контроле структуры продукции. Для работы на сложном аналитическом оборудовании ценится опыт, полученный в диссертации.
Заметили ошибку или чего-то не хватает? Расскажите нам — починим баг или добавим новую возможность. Мы читаем каждое сообщение.