Электроника и наноэлектроника

в ВГТУ · Воронеж

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026	93	—	35	70	173 600 ₽
2025	—	—	37	20	162 200 ₽
2018	—	—	15	5	—

Магистерская программа «Электроника и наноэлектроника» в ВГТУ ориентирована на углублённую подготовку в области проектирования, моделирования и исследования твердотельной электроники, микро- и наносистем. Учебный план делает акцент на физические принципы работы полупроводниковых приборов, технологию изготовления интегральных схем и СВЧ-устройств, а также на методы компьютерного моделирования (TCAD, SPICE). Особенность программы — интеграция с инжиниринговым центром вуза, где студенты работают с реальным измерительным и технологическим оборудованием, включая зондовые микроскопы и установки литографии, что позволяет осваивать процессы от разработки топологии до тестирования прототипов. ВГТУ традиционно силён в направлении электроники благодаря многолетнему сотрудничеству с промышленными предприятиями Воронежа (НИИЭТ, «Элкон», ВЗПП-Микрон) и наличию собственной научно-исследовательской лаборатории наноэлектроники. Благодаря базовым кафедрам на предприятиях студенты проходят практику на действующем производстве. Программа подойдёт выпускникам бакалавриата технических и физических специальностей, которые хотят заниматься разработкой элементной базы для радиоэлектроники, систем связи или силовой электроники. После выпуска открыты карьерные пути в R&D-отделы микроэлектронных заводов, в проектные бюро (например, по разработке СВЧ-транзисторов или датчиков) и в научные лаборатории. Возможно продолжение обучения в аспирантуре ВГТУ по направлению «Электроника, фотоника и приборостроение».

Направление «Электроника и наноэлектроника» (11.04.04) в магистратуре готовит специалистов, способных разрабатывать и исследовать электронные компоненты и устройства, включая наноразмерные структуры. Программа объединяет физику полупроводников, микро- и наноэлектронику, а также проектирование интегральных схем. Студенты изучают современные методы синтеза наноматериалов, технологии литографии и моделирования приборов на квантовых эффектах. Ключевые дисциплины: «Физика наноструктур», «Технология микро- и наноэлектроники», «Проектирование СБИС», «Материалы электронной техники», «Квантовая электроника», «Методы диагностики наноматериалов». В ходе обучения осваиваются работа с CAD-системами (Cadence, Synopsys), численное моделирование (TCAD, COMSOL), методы оптической и электронной микроскопии, а также основы программирования для автоматизации эксперимента. Выпускники владеют навыками разработки технологических процессов создания полупроводниковых приборов, проектирования аналоговых и цифровых микросхем, анализа характеристик наноэлектронных устройств. Они способны проводить научные исследования, оптимизировать параметры приборов и внедрять инновационные решения в производство. Области применения: микроэлектроника, оптоэлектроника, силовая электроника, сенсорика, фотоника, квантовые вычисления. Направление особенно интересно в контексте перехода к посткремниевой электронике, развитию гибкой электроники и интернета вещей. Особенность — фокус на наноразмерные эффекты, что открывает возможности для создания сверхбыстрых и энергоэффективных устройств нового поколения.

Выпускники востребованы в НИИ (ФТИ им. Иоффе, ИСВЧПЭ РАН), на предприятиях микроэлектроники (Микрон, Ангстрем, GS Group), в R&D-центрах (Яндекс, Сбер, Росатом). Возможные должности: инженер-технолог по напылению и литографии, разработчик интегральных схем, специалист по наноматериалам, инженер-исследователь в области наноэлектроники, проектировщик приборов на квантовых точках. Перспективы: рост до руководителя группы или главного технолога, участие в проектах по импортозамещению электронной компонентной базы. Рынок труда испытывает дефицит таких специалистов, особенно в сегменте проектирования СБИС и нанотехнологий.