Электроника и наноэлектроника

в ТПУ · Томск

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026 ориентир.	—	—	80	8	245 500 ₽
2025	—	—	45	2	223 200 ₽
2018	177	—	34	2	—

Программа магистратуры «Электроника и наноэлектроника» в ТПУ готовит инженеров-исследователей, способных работать на стыке физики твёрдого тела и прикладной электроники. Упор сделан на проектирование и моделирование компонентов микро- и наноэлектроники: от полупроводниковых приборов и интегральных схем до сенсоров и устройств силовой электроники. В отличие от программ с общим названием, здесь силён акцент на экспериментальную работу в чистых помещениях и работу с технологическим оборудованием для наноструктурирования материалов — это особенность томской школы материаловедения, исторически сложившейся в вузе. ТПУ — один из старейших технических вузов России с мощной базой для инженерного эксперимента, особенно в области энергетики и материалов. Вуз обладает статусом национального исследовательского университета, что гарантирует доступ к современному лабораторному парку и участие в реальных НИОКР. Программа подойдёт выпускникам бакалавриата технических специальностей, которые хотят углубиться в физику процессов в наноразмерных структурах и получить навыки работы в микроэлектронной лаборатории. Перспективы после выпуска — работа в R&D-центрах полупроводниковой промышленности, в том числе в компаниях, связанных с силовой электроникой и приборостроением, а также продолжение карьеры в аспирантуре ТПУ. С учётом тренда на импортозамещение в микроэлектронике, выпускники востребованы как в научных институтах Томска, так и в инженерных отделах крупных производственных холдингов.

Направление «Электроника и наноэлектроника» (11.04.04) в магистратуре готовит специалистов, способных разрабатывать и исследовать электронные компоненты и устройства, включая наноразмерные структуры. Программа объединяет физику полупроводников, микро- и наноэлектронику, а также проектирование интегральных схем. Студенты изучают современные методы синтеза наноматериалов, технологии литографии и моделирования приборов на квантовых эффектах. Ключевые дисциплины: «Физика наноструктур», «Технология микро- и наноэлектроники», «Проектирование СБИС», «Материалы электронной техники», «Квантовая электроника», «Методы диагностики наноматериалов». В ходе обучения осваиваются работа с CAD-системами (Cadence, Synopsys), численное моделирование (TCAD, COMSOL), методы оптической и электронной микроскопии, а также основы программирования для автоматизации эксперимента. Выпускники владеют навыками разработки технологических процессов создания полупроводниковых приборов, проектирования аналоговых и цифровых микросхем, анализа характеристик наноэлектронных устройств. Они способны проводить научные исследования, оптимизировать параметры приборов и внедрять инновационные решения в производство. Области применения: микроэлектроника, оптоэлектроника, силовая электроника, сенсорика, фотоника, квантовые вычисления. Направление особенно интересно в контексте перехода к посткремниевой электронике, развитию гибкой электроники и интернета вещей. Особенность — фокус на наноразмерные эффекты, что открывает возможности для создания сверхбыстрых и энергоэффективных устройств нового поколения.

Выпускники востребованы в НИИ (ФТИ им. Иоффе, ИСВЧПЭ РАН), на предприятиях микроэлектроники (Микрон, Ангстрем, GS Group), в R&D-центрах (Яндекс, Сбер, Росатом). Возможные должности: инженер-технолог по напылению и литографии, разработчик интегральных схем, специалист по наноматериалам, инженер-исследователь в области наноэлектроники, проектировщик приборов на квантовых точках. Перспективы: рост до руководителя группы или главного технолога, участие в проектах по импортозамещению электронной компонентной базы. Рынок труда испытывает дефицит таких специалистов, особенно в сегменте проектирования СБИС и нанотехнологий.