Физика полупроводников

в СПбГУ · Санкт-Петербург

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026 ориентир.	—	—	0	2	385 600 ₽

Аспиранты исследуют электронные, оптические и транспортные свойства полупроводников и созданных на их основе структур. Темами диссертаций становятся носители заряда, дефекты и примеси, гетероструктуры, низкоразмерные системы, фотопроводимость, электронные переходы и физические основы полупроводниковых приборов. Исследователь осваивает квантовые модели твёрдого тела, электрические и оптические измерения, спектроскопию, обработку экспериментальных данных и численное моделирование. Особое внимание уделяется связи технологии получения образца с его структурой и свойствами. В СПбГУ специальность развивается на пересечении физики конденсированного состояния, оптики и материаловедения. Университетская среда позволяет рассматривать полупроводниковую систему от фундаментального механизма до параметров будущего устройства, сохраняя исследовательский характер работы. Подготовка включает анализ литературы, планирование серии измерений и обсуждение результатов на научных семинарах. Новый результат может состоять в обнаружении эффекта, объяснении наблюдаемой зависимости или создании более точной модели. Программа подойдёт физикам, материаловедам и специалистам по электронике, которым интересны свойства вещества и работа приборов на микроскопическом уровне. Потребуются знания квантовой механики, физики твёрдого тела и навыки точного эксперимента. Степень кандидата физико-математических наук полезна для академической карьеры и руководства исследованиями. В практической сфере она помогает работать над микроэлектроникой, фотодетекторами, сенсорами, солнечными элементами и технологиями характеризации полупроводниковых материалов.

Физика полупроводников изучает электронные, оптические, тепловые и структурные свойства материалов с проводимостью между металлами и диэлектриками. Объектами служат объёмные кристаллы, тонкие плёнки, гетероструктуры, наноструктуры и приборные структуры. В центре внимания находятся носители заряда, примеси, дефекты, границы раздела и взаимодействие вещества с излучением. От физической электроники направление отличается акцентом на свойствах самого полупроводника, а от материаловедения – на физических механизмах этих свойств. Исследования охватывают зонную структуру, перенос и рекомбинацию носителей, низкоразмерные системы, квантовые точки и ямы, широкозонные и органические полупроводники, фотоэлектрические и термоэлектрические явления. Темами диссертаций становятся подвижность носителей в гетероструктуре, влияние дефектов на люминесценцию, свойства двумерного материала, механизмы деградации солнечного элемента, туннельный транспорт или характеристики новой приборной структуры. Аспирант осваивает квантовую и статистическую физику твёрдого тела, теорию переноса, методы выращивания и обработки структур, электрические, оптические и структурные измерения. Используются спектроскопия, микроскопия, дифракционные методы, низкотемпературные и магнитотранспортные измерения, а также численное моделирование. Кандидатские экзамены включают историю и философию науки, иностранный язык и специальную дисциплину. Обычно присуждается степень кандидата физико-математических наук. Результаты применяются в микроэлектронике, фотонике, сенсорике, силовой электронике, солнечной энергетике и квантовых технологиях. Специальность связана с физикой конденсированного состояния, оптикой, химией материалов и электронной техникой.

Кандидаты наук работают в физических НИИ, университетах, центрах микроэлектроники и фотоники, на предприятиях электронной промышленности и у разработчиков материалов и приборов. Должности – научный сотрудник, инженер-исследователь, специалист по полупроводниковым технологиям, разработчик приборных структур, инженер по характеризации, моделированию или анализу отказов, преподаватель. Степень нужна для самостоятельного исследования физических механизмов и руководства научно-техническими разработками. В производстве она полезна при выборе материалов, интерпретации измерений, оптимизации технологического процесса и выяснении причин деградации приборов, когда стандартных процедур контроля недостаточно.