Физика полупроводников

в СПБАУ РАН · Санкт-Петербург

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026	148	—	2	0	—

Программа посвящена физическим процессам в полупроводниках и структурах на их основе. Аспиранты исследуют перенос заряда, оптические свойства, квантово-размерные эффекты, дефекты, контакты и работу полупроводниковых приборов. Темами диссертаций становятся гетероструктуры, наноструктуры, фотоприёмники, излучатели и электронные компоненты. Осваиваются электрические и оптические измерения, спектроскопия, микроскопия, моделирование зонной структуры, изготовление и характеризация образцов. СПБАУ РАН сформирован как университет, тесно связанный с академической наукой, что особенно важно для физики полупроводников. Подготовка строится вокруг исследовательской работы и доступа к научной культуре, где теоретическое объяснение проверяется серией точных экспериментов. Аспирант учится прослеживать всю логику исследования – от свойств материала и структуры образца до измерительного сигнала и возможного применения физического эффекта. Программа подойдёт физикам, материаловедам и инженерам, заинтересованным в микроэлектронике, оптоэлектронике и наноструктурах. Степень кандидата физико-математических наук подтверждает способность вести самостоятельные исследования и обсуждать результаты на уровне профессионального сообщества. Она полезна для работы в академических институтах, центрах разработки электронных и фотонных компонентов, лабораториях материаловедения и высшей школе.

Физика полупроводников изучает электронные, оптические, тепловые и структурные свойства материалов с проводимостью между металлами и диэлектриками. Объектами служат объёмные кристаллы, тонкие плёнки, гетероструктуры, наноструктуры и приборные структуры. В центре внимания находятся носители заряда, примеси, дефекты, границы раздела и взаимодействие вещества с излучением. От физической электроники направление отличается акцентом на свойствах самого полупроводника, а от материаловедения – на физических механизмах этих свойств. Исследования охватывают зонную структуру, перенос и рекомбинацию носителей, низкоразмерные системы, квантовые точки и ямы, широкозонные и органические полупроводники, фотоэлектрические и термоэлектрические явления. Темами диссертаций становятся подвижность носителей в гетероструктуре, влияние дефектов на люминесценцию, свойства двумерного материала, механизмы деградации солнечного элемента, туннельный транспорт или характеристики новой приборной структуры. Аспирант осваивает квантовую и статистическую физику твёрдого тела, теорию переноса, методы выращивания и обработки структур, электрические, оптические и структурные измерения. Используются спектроскопия, микроскопия, дифракционные методы, низкотемпературные и магнитотранспортные измерения, а также численное моделирование. Кандидатские экзамены включают историю и философию науки, иностранный язык и специальную дисциплину. Обычно присуждается степень кандидата физико-математических наук. Результаты применяются в микроэлектронике, фотонике, сенсорике, силовой электронике, солнечной энергетике и квантовых технологиях. Специальность связана с физикой конденсированного состояния, оптикой, химией материалов и электронной техникой.

Кандидаты наук работают в физических НИИ, университетах, центрах микроэлектроники и фотоники, на предприятиях электронной промышленности и у разработчиков материалов и приборов. Должности – научный сотрудник, инженер-исследователь, специалист по полупроводниковым технологиям, разработчик приборных структур, инженер по характеризации, моделированию или анализу отказов, преподаватель. Степень нужна для самостоятельного исследования физических механизмов и руководства научно-техническими разработками. В производстве она полезна при выборе материалов, интерпретации измерений, оптимизации технологического процесса и выяснении причин деградации приборов, когда стандартных процедур контроля недостаточно.