Электроника и наноэлектроника — СибГУ им. М.Ф. Решетнева (Красноярск): проходной балл, места, ЕГЭ | Поступашкин
← Каталог / СибГУ им. М.Ф. Решетнева / Электроника и наноэлектроника
Магистратура 11.04.04 форма обучения: очная

Электроника и наноэлектроника

в СибГУ им. М.Ф. Решетнева · Красноярск

«Электроника и наноэлектроника» — программа уровня «магистратура» в вузе СибГУ им. М.Ф. Решетнева (Красноярск), направление подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника». Проходной балл на бюджет в 2018 году — 150. Бюджетных мест — 8, платных — 7, стоимость обучения — 285 200 ₽/год. Ниже — динамика баллов по годам, количество мест и стоимость.

Аккредитация и отсрочка

По реестру Рособрнадзора, сверка 19.09.2026

📋 Конкурс на эту программу — приём 2026

Живые конкурсные списки по всем видам мест — основные, целевая, особая и отдельная квоты. «Порог сейчас» считается по всем подавшим и почти всегда завышен: большинство стоящих выше уйдут в другие вузы. Реальную границу лучше показывает «проходной по согласиям», а по завершении кампании — балл с пометкой «приказ»: фактический проходной последнего зачисленного (на платных местах — по договорам и оплате). Обновлено: 2026-08-29 13:48:55.

Вид мест / форма Мест Подано СогласийСколько человек подали согласие на зачисление именно сюда. Согласие можно держать только в одном вузе на одном направлении, поэтому это самые реальные претенденты на места. ПроходнойС пометкой «приказ» — фактический балл последнего зачисленного по приказу (для платных мест — по договорам и оплате). Без пометки — проходной по согласиям: балл последнего человека С СОГЛАСИЕМ, помещающегося в число мест. «—» — границы нет: либо приказ по группе не публиковался, либо согласий меньше, чем мест. Порог по всемСумма баллов последнего в пределах мест, если считать ВСЕХ подавших. Почти всегда завышен: большинство стоящих выше уйдут в другие вузы или на свои первые приоритеты. Не финальный проходной.
Основные места в рамках КЦП Очная · Магистратура 8 17 15 82 приказ 89 ⭐ В план Список →
Платные места Очная · Магистратура 7 6 5 45 приказ — Список →
Все конкурсные группы вуза + найти себя по коду поступающего →

Проходной балл (бюджет)

82
динамика 2018—2026
1502018822026

История приёма

Год БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году. ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году. Мест БЧисло бюджетных мест в этом году. Мест ПЧисло платных мест в этом году. Цена/год
2026 82 — 8 7 285 200 ₽
2025 — — 7 8 264 200 ₽
2018 150 — 11 1 —

Об обучении на программе

Программа магистратуры «Электроника и наноэлектроника» в СибГУ имени Решетнева готовит инженеров-разработчиков, способных проектировать и внедрять компоненты микро- и наноэлектроники, а также приборы на их основе. В рамках обучения студенты осваивают методы моделирования и конструирования полупроводниковых структур, изучают современные технологии производства интегральных схем и микросистем. Упор сделан на прикладные аспекты: от расчёта характеристик наноматериалов до сборки и тестирования электронных устройств. Особенность программы — интеграция с космической и авиационной тематикой вуза: значительная часть проектных работ и лабораторных практикумов ориентирована на создание компонентов для бортовой аппаратуры и систем связи, устойчивых к экстремальным условиям. СибГУ исторически является кузницей кадров для ракетно-космической отрасли, и направление «Электроника и наноэлектроника» здесь базируется на мощной инфраструктуре: студенты имеют доступ к чистым комнатам, оборудованию для литографии и зондовой микроскопии, а также к лабораториям материаловедения. Вуз кооперируется с предприятиями Красноярска и региона (например, с «Красмашем» и «ИСС имени Решетнёва»), что позволяет магистрантам участвовать в реальных НИОКР. Стоимость обучения для платной основы уточняется на странице приёмной комиссии. Программа подойдёт выпускникам бакалавриата по электронике, физике или смежным инженерным направлениям, кто хочет специализироваться на разработке микроэлектроники для высокотехнологичных отраслей — от космоса до промышленной автоматизации. После выпуска магистры востребованы в НИИ и на предприятиях оборонно-промышленного комплекса, в том числе в структурах Роскосмоса и Росатома, а также в компаниях, занимающихся производством датчиков, микроконтроллеров и систем управления. Перспективы включают позиции инженера-электроника, разработчика СВЧ-устройств или специалиста по нанотехнологиям, а также возможность продолжить обучение в аспирантуре вуза по смежным специальностям.

О направлении «Электроника и наноэлектроника»

Направление «Электроника и наноэлектроника» (11.04.04) в магистратуре готовит специалистов, способных разрабатывать и исследовать электронные компоненты и устройства, включая наноразмерные структуры. Программа объединяет физику полупроводников, микро- и наноэлектронику, а также проектирование интегральных схем. Студенты изучают современные методы синтеза наноматериалов, технологии литографии и моделирования приборов на квантовых эффектах. Ключевые дисциплины: «Физика наноструктур», «Технология микро- и наноэлектроники», «Проектирование СБИС», «Материалы электронной техники», «Квантовая электроника», «Методы диагностики наноматериалов». В ходе обучения осваиваются работа с CAD-системами (Cadence, Synopsys), численное моделирование (TCAD, COMSOL), методы оптической и электронной микроскопии, а также основы программирования для автоматизации эксперимента. Выпускники владеют навыками разработки технологических процессов создания полупроводниковых приборов, проектирования аналоговых и цифровых микросхем, анализа характеристик наноэлектронных устройств. Они способны проводить научные исследования, оптимизировать параметры приборов и внедрять инновационные решения в производство. Области применения: микроэлектроника, оптоэлектроника, силовая электроника, сенсорика, фотоника, квантовые вычисления. Направление особенно интересно в контексте перехода к посткремниевой электронике, развитию гибкой электроники и интернета вещей. Особенность — фокус на наноразмерные эффекты, что открывает возможности для создания сверхбыстрых и энергоэффективных устройств нового поколения.
Все вузы по направлению «Электроника и наноэлектроника» →

Кем работать

Выпускники востребованы в НИИ (ФТИ им. Иоффе, ИСВЧПЭ РАН), на предприятиях микроэлектроники (Микрон, Ангстрем, GS Group), в R&D-центрах (Яндекс, Сбер, Росатом). Возможные должности: инженер-технолог по напылению и литографии, разработчик интегральных схем, специалист по наноматериалам, инженер-исследователь в области наноэлектроники, проектировщик приборов на квантовых точках. Перспективы: рост до руководителя группы или главного технолога, участие в проектах по импортозамещению электронной компонентной базы. Рынок труда испытывает дефицит таких специалистов, особенно в сегменте проектирования СБИС и нанотехнологий.
Заметили ошибку или чего-то не хватает? Расскажите нам — починим баг или добавим новую возможность. Мы читаем каждое сообщение.