«Электроника и наноэлектроника» — программа уровня «магистратура»
в вузе СГУ им. Н.Г. Чернышевского (Саратов),
направление подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».
Проходной балл на бюджет в 2018 году —
225.
Бюджетных мест — 20, платных — 24, стоимость обучения — 155 028 ₽/год. Ниже — динамика баллов по годам, количество мест и стоимость.
Аккредитация и отсрочка
По реестру Рособрнадзора, сверка 19.09.2026
Направление 11.04.04 есть в приложении к свидетельству
№ А007-00115-64/01081743 (бессрочно).
Это значит диплом государственного образца.
Отсрочка от призыва: очная форма по аккредитованной программе даёт право на отсрочку —
один раз на каждом уровне образования и при обучении в пределах срока программы.
Живые конкурсные списки по всем видам мест — основные, целевая, особая и отдельная квоты.
«Порог сейчас» считается по всем подавшим и почти всегда завышен: большинство стоящих выше
уйдут в другие вузы. Реальную границу лучше показывает «проходной по согласиям»,
а по завершении кампании — балл с пометкой «приказ»: фактический проходной последнего
зачисленного (на платных местах — по договорам и оплате).
Обновлено: 2026-08-27 14:35:01.
Вид мест / форма
Мест
Подано
СогласийСколько человек подали согласие на зачисление именно сюда. Согласие можно держать только в одном вузе на одном направлении, поэтому это самые реальные претенденты на места.
ПроходнойС пометкой «приказ» — фактический балл последнего зачисленного по приказу (для платных мест — по договорам и оплате). Без пометки — проходной по согласиям: балл последнего человека С СОГЛАСИЕМ, помещающегося в число мест. «—» — границы нет: либо приказ по группе не публиковался, либо согласий меньше, чем мест.
Порог по всемСумма баллов последнего в пределах мест, если считать ВСЕХ подавших. Почти всегда завышен: большинство стоящих выше уйдут в другие вузы или на свои первые приоритеты. Не финальный проходной.
Поступление по договору с работодателем: учёбу оплачивает заказчик, после выпуска — отработка по специальности
1
целевых мест на 2026
Проходной балл (бюджет)
90
динамика 2018—2026
История приёма
Год
БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.
ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.
Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.
Мест ПЧисло платных мест в этом году.
Цена/год
2026
90
—
20
24
155 028 ₽
2025
—
—
10
10
—
2018
225
—
15
3
—
Об обучении на программе
Магистерская программа «Электроника и наноэлектроника» в СГУ имени Н.Г. Чернышевского готовит специалистов, способных разрабатывать и исследовать компоненты современной электроники на микро- и наноуровне. Упор в обучении сделан на физические принципы работы полупроводниковых приборов, технологии создания наноструктур и методы проектирования интегральных схем. Студенты осваивают моделирование электронных устройств, работу с современным измерительным оборудованием и методы анализа материалов на наноуровне, что позволяет выпускникам понимать процессы от фундаментальных свойств вещества до готового прибора.
Саратовский университет является одним из ведущих исследовательских центров Поволжья, и направление «Электроника и наноэлектроника» здесь опирается на мощную физическую школу и лабораторную базу. Для поступления необходимо сдать вступительные испытания, перечень которых указан на официальной странице программы. Вуз традиционно силен в области радиофизики и электроники, что дает студентам доступ к уникальному оборудованию и проектам.
Программа подойдет выпускникам бакалавриата технических и физических направлений, которые хотят углубиться в разработку компонентов для микроэлектроники, оптоэлектроники или сенсорики. Выпускники востребованы в научно-исследовательских институтах, на предприятиях по производству полупроводников и электронных компонентов, а также в R&D-отделах компаний, занимающихся нанотехнологиями. Возможно продолжение карьеры в аспирантуре СГУ по смежным специальностям.
О направлении «Электроника и наноэлектроника»
Направление «Электроника и наноэлектроника» (11.04.04) в магистратуре готовит специалистов, способных разрабатывать и исследовать электронные компоненты и устройства, включая наноразмерные структуры. Программа объединяет физику полупроводников, микро- и наноэлектронику, а также проектирование интегральных схем. Студенты изучают современные методы синтеза наноматериалов, технологии литографии и моделирования приборов на квантовых эффектах.
Ключевые дисциплины: «Физика наноструктур», «Технология микро- и наноэлектроники», «Проектирование СБИС», «Материалы электронной техники», «Квантовая электроника», «Методы диагностики наноматериалов». В ходе обучения осваиваются работа с CAD-системами (Cadence, Synopsys), численное моделирование (TCAD, COMSOL), методы оптической и электронной микроскопии, а также основы программирования для автоматизации эксперимента.
Выпускники владеют навыками разработки технологических процессов создания полупроводниковых приборов, проектирования аналоговых и цифровых микросхем, анализа характеристик наноэлектронных устройств. Они способны проводить научные исследования, оптимизировать параметры приборов и внедрять инновационные решения в производство.
Области применения: микроэлектроника, оптоэлектроника, силовая электроника, сенсорика, фотоника, квантовые вычисления. Направление особенно интересно в контексте перехода к посткремниевой электронике, развитию гибкой электроники и интернета вещей. Особенность — фокус на наноразмерные эффекты, что открывает возможности для создания сверхбыстрых и энергоэффективных устройств нового поколения.
Выпускники востребованы в НИИ (ФТИ им. Иоффе, ИСВЧПЭ РАН), на предприятиях микроэлектроники (Микрон, Ангстрем, GS Group), в R&D-центрах (Яндекс, Сбер, Росатом). Возможные должности: инженер-технолог по напылению и литографии, разработчик интегральных схем, специалист по наноматериалам, инженер-исследователь в области наноэлектроники, проектировщик приборов на квантовых точках. Перспективы: рост до руководителя группы или главного технолога, участие в проектах по импортозамещению электронной компонентной базы. Рынок труда испытывает дефицит таких специалистов, особенно в сегменте проектирования СБИС и нанотехнологий.
🐾
Заметили ошибку или чего-то не хватает?Расскажите нам — починим баг или добавим новую возможность. Мы читаем каждое сообщение.
Мы используем файлы cookie для работы сайта и агрегированной статистики (Яндекс.Метрика). Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с этим — подробнее в Политике cookies.Cookie нужны для работы и статистики. Подробнее