Электроника и наноэлектроника

в СФУ · Красноярск

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026	82	—	30	10	67 350 ₽

Магистерская программа «Электроника и наноэлектроника» в СФУ готовит специалистов, способных разрабатывать и проектировать компоненты современной электроники, включая микро- и наносистемы. Учебный план делает акцент на материаловедение полупроводников, технологии микроэлектромеханических систем (МЭМС) и методы моделирования приборов на квантовых эффектах. Особенность подготовки — интеграция с промышленными партнёрами вуза, что позволяет студентам работать с реальными производственными задачами в лабораториях, оснащённых оборудованием для напыления тонких плёнок и литографии. СФУ — крупнейший технический вуз за Уралом, что даёт доступ к исследовательской инфраструктуре, включая центры коллективного пользования и научные школы, которые десятилетиями занимаются электроникой и полупроводниками. Вступительные испытания проводятся по профильным предметам, перечень которых также представлен на сайте вуза. Программа подойдёт выпускникам бакалавриата по физике, электронике или материаловедению, которые хотят углубиться в микро- и нанотехнологии. После выпуска возможна работа инженером-разработчиком в компаниях по производству полупроводников и микроэлектроники, а также в научно-исследовательских институтах Сибири, где востребованы специалисты по созданию новых материалов и наноструктур. Выпускники также могут продолжить карьеру в аспирантуре и научных лабораториях СФУ, занимающихся прикладной электроникой.

Направление «Электроника и наноэлектроника» (11.04.04) в магистратуре готовит специалистов, способных разрабатывать и исследовать электронные компоненты и устройства, включая наноразмерные структуры. Программа объединяет физику полупроводников, микро- и наноэлектронику, а также проектирование интегральных схем. Студенты изучают современные методы синтеза наноматериалов, технологии литографии и моделирования приборов на квантовых эффектах. Ключевые дисциплины: «Физика наноструктур», «Технология микро- и наноэлектроники», «Проектирование СБИС», «Материалы электронной техники», «Квантовая электроника», «Методы диагностики наноматериалов». В ходе обучения осваиваются работа с CAD-системами (Cadence, Synopsys), численное моделирование (TCAD, COMSOL), методы оптической и электронной микроскопии, а также основы программирования для автоматизации эксперимента. Выпускники владеют навыками разработки технологических процессов создания полупроводниковых приборов, проектирования аналоговых и цифровых микросхем, анализа характеристик наноэлектронных устройств. Они способны проводить научные исследования, оптимизировать параметры приборов и внедрять инновационные решения в производство. Области применения: микроэлектроника, оптоэлектроника, силовая электроника, сенсорика, фотоника, квантовые вычисления. Направление особенно интересно в контексте перехода к посткремниевой электронике, развитию гибкой электроники и интернета вещей. Особенность — фокус на наноразмерные эффекты, что открывает возможности для создания сверхбыстрых и энергоэффективных устройств нового поколения.

Выпускники востребованы в НИИ (ФТИ им. Иоффе, ИСВЧПЭ РАН), на предприятиях микроэлектроники (Микрон, Ангстрем, GS Group), в R&D-центрах (Яндекс, Сбер, Росатом). Возможные должности: инженер-технолог по напылению и литографии, разработчик интегральных схем, специалист по наноматериалам, инженер-исследователь в области наноэлектроники, проектировщик приборов на квантовых точках. Перспективы: рост до руководителя группы или главного технолога, участие в проектах по импортозамещению электронной компонентной базы. Рынок труда испытывает дефицит таких специалистов, особенно в сегменте проектирования СБИС и нанотехнологий.