Электроника и наноэлектроника

в НИЯУ МИФИ · Москва

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026	102	—	34	50	70 800 ₽
2025	—	—	35	70	417 000 ₽
2018	—	—	20	5	—

Магистерская программа «Электроника и наноэлектроника» в НИЯУ МИФИ готовит инженеров-исследователей, способных работать с твердотельной электроникой от микро- до наноразмеров. В основе обучения — проектирование и моделирование полупроводниковых приборов, наноструктур и интегральных схем. Особый акцент сделан на радиационно-стойкую электронику и приборы для работы в экстремальных условиях (высокая температура, радиация), что напрямую связано с профилем головного ядерного вуза. Студенты осваивают методы компьютерного моделирования (TCAD, SPICE), технологии литографии, эпитаксии и диагностики наноматериалов, а также изучают физику процессов в гетероструктурах и квантовых точках. Вуз обладает уникальной экспериментальной базой — чистыми комнатами класса ISO 5-7 и лабораториями зондовой микроскопии на базе Института нанотехнологий в электронике. Поскольку МИФИ является головным вузом госкорпорации «Росатом», многие проекты выполняются по заказу предприятий атомной и космической отраслей. Стоимость обучения для платной основы уточняется на странице приёмной комиссии, вступительные испытания проводятся в форме междисциплинарного экзамена. Программа подойдёт выпускникам технических бакалавриатов, которые хотят заниматься разработкой компонентной базы для квантовых компьютеров, спутниковой электроники или силовой полупроводниковой техники. Выпускники востребованы в научно-исследовательских институтах РАН, конструкторских бюро (например, «Микрон», «Ангстрем») и в центрах разработки Росатома. Карьера включает позиции инженера-технолога в наноэлектронике, разработчика СБИС или научного сотрудника в области физики полупроводников.

Направление «Электроника и наноэлектроника» (11.04.04) в магистратуре готовит специалистов, способных разрабатывать и исследовать электронные компоненты и устройства, включая наноразмерные структуры. Программа объединяет физику полупроводников, микро- и наноэлектронику, а также проектирование интегральных схем. Студенты изучают современные методы синтеза наноматериалов, технологии литографии и моделирования приборов на квантовых эффектах. Ключевые дисциплины: «Физика наноструктур», «Технология микро- и наноэлектроники», «Проектирование СБИС», «Материалы электронной техники», «Квантовая электроника», «Методы диагностики наноматериалов». В ходе обучения осваиваются работа с CAD-системами (Cadence, Synopsys), численное моделирование (TCAD, COMSOL), методы оптической и электронной микроскопии, а также основы программирования для автоматизации эксперимента. Выпускники владеют навыками разработки технологических процессов создания полупроводниковых приборов, проектирования аналоговых и цифровых микросхем, анализа характеристик наноэлектронных устройств. Они способны проводить научные исследования, оптимизировать параметры приборов и внедрять инновационные решения в производство. Области применения: микроэлектроника, оптоэлектроника, силовая электроника, сенсорика, фотоника, квантовые вычисления. Направление особенно интересно в контексте перехода к посткремниевой электронике, развитию гибкой электроники и интернета вещей. Особенность — фокус на наноразмерные эффекты, что открывает возможности для создания сверхбыстрых и энергоэффективных устройств нового поколения.

Выпускники востребованы в НИИ (ФТИ им. Иоффе, ИСВЧПЭ РАН), на предприятиях микроэлектроники (Микрон, Ангстрем, GS Group), в R&D-центрах (Яндекс, Сбер, Росатом). Возможные должности: инженер-технолог по напылению и литографии, разработчик интегральных схем, специалист по наноматериалам, инженер-исследователь в области наноэлектроники, проектировщик приборов на квантовых точках. Перспективы: рост до руководителя группы или главного технолога, участие в проектах по импортозамещению электронной компонентной базы. Рынок труда испытывает дефицит таких специалистов, особенно в сегменте проектирования СБИС и нанотехнологий.