Электроника и наноэлектроника

в МИСиС · Москва

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026 ориентир.	—	—	0	—	—
2025	—	—	40	1	425 000 ₽
2018	120	120	48	4	—

Магистерская программа «Электроника и наноэлектроника» в НИТУ МИСиС ориентирована на подготовку инженеров-исследователей, способных работать на стыке физики твёрдого тела, схемотехники и технологий микроэлектроники. Учебный план включает углублённое изучение квантовых структур, методов литографии и диагностики наноматериалов, а также проектирования интегральных схем. Особый акцент сделан на практической работе в чистых комнатах и лабораториях зондовой микроскопии — студенты осваивают реальные производственные процессы, от синтеза тонких плёнок до сборки прототипов сенсоров и элементов памяти. Вуз силён по данному направлению благодаря исследовательской инфраструктуре: в МИСиС действуют Центр коллективного пользования «Материаловедение и металлургия» и лаборатории, оснащённые растровыми электронными микроскопами и установками молекулярно-лучевой эпитаксии. Стоимость контрактного обучения на сайте вуза не указана, что может означать её отсутствие или необходимость уточнения в приёмной комиссии. Программа подойдёт выпускникам бакалавриата по физике, электронике или материаловедению, которые хотят углубиться в R&D-сектор. Перспективы после выпуска связаны с работой в полупроводниковых компаниях (например, «Микрон», «Ангстрем»), НИИ микроэлектроники и стартапах по гибкой электронике. Выпускники также могут продолжить карьеру в аспирантуре МИСиС или смежных лабораториях РАН, где востребованы навыки создания наноструктур и фотонных устройств.

Направление «Электроника и наноэлектроника» (11.04.04) в магистратуре готовит специалистов, способных разрабатывать и исследовать электронные компоненты и устройства, включая наноразмерные структуры. Программа объединяет физику полупроводников, микро- и наноэлектронику, а также проектирование интегральных схем. Студенты изучают современные методы синтеза наноматериалов, технологии литографии и моделирования приборов на квантовых эффектах. Ключевые дисциплины: «Физика наноструктур», «Технология микро- и наноэлектроники», «Проектирование СБИС», «Материалы электронной техники», «Квантовая электроника», «Методы диагностики наноматериалов». В ходе обучения осваиваются работа с CAD-системами (Cadence, Synopsys), численное моделирование (TCAD, COMSOL), методы оптической и электронной микроскопии, а также основы программирования для автоматизации эксперимента. Выпускники владеют навыками разработки технологических процессов создания полупроводниковых приборов, проектирования аналоговых и цифровых микросхем, анализа характеристик наноэлектронных устройств. Они способны проводить научные исследования, оптимизировать параметры приборов и внедрять инновационные решения в производство. Области применения: микроэлектроника, оптоэлектроника, силовая электроника, сенсорика, фотоника, квантовые вычисления. Направление особенно интересно в контексте перехода к посткремниевой электронике, развитию гибкой электроники и интернета вещей. Особенность — фокус на наноразмерные эффекты, что открывает возможности для создания сверхбыстрых и энергоэффективных устройств нового поколения.

Выпускники востребованы в НИИ (ФТИ им. Иоффе, ИСВЧПЭ РАН), на предприятиях микроэлектроники (Микрон, Ангстрем, GS Group), в R&D-центрах (Яндекс, Сбер, Росатом). Возможные должности: инженер-технолог по напылению и литографии, разработчик интегральных схем, специалист по наноматериалам, инженер-исследователь в области наноэлектроники, проектировщик приборов на квантовых точках. Перспективы: рост до руководителя группы или главного технолога, участие в проектах по импортозамещению электронной компонентной базы. Рынок труда испытывает дефицит таких специалистов, особенно в сегменте проектирования СБИС и нанотехнологий.