Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники

в МИСиС · Москва

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026	122	—	12	0	—

Аспиранты исследуют процессы и оборудование, с помощью которых получают материалы, структуры и приборы электронной техники. Диссертации посвящают выращиванию и обработке функциональных слоёв, вакуумным и плазменным процессам, литографии, нанесению покрытий, термообработке, контролю дефектов и повышению стабильности производства. Осваиваются технологический эксперимент, материаловедческая диагностика, микроскопия, электрические измерения, моделирование процессов и статистический контроль параметров. В МИСиС программа находится в естественном продолжении материаловедческого и инженерного профиля университета. Здесь свойства электронного прибора рассматриваются через состав материала, структуру, способ изготовления и режим работы оборудования. Сочетание металлургической школы с современными направлениями микроэлектроники и нанотехнологий позволяет ставить задачи на разных масштабах – от формирования слоя до организации технологического маршрута. Исследование обычно требует воспроизводимости процессов и связи измеренных свойств с параметрами изготовления. Программа подойдёт материаловедам, физикам, электронщикам и инженерам-технологам, которые хотят заниматься разработкой производственных процессов. Степень кандидата технических наук полезна для работы в исследовательских центрах, технологических подразделениях электронной промышленности и высшей школе. Выпускник умеет выбирать оборудование и режимы, находить причины дефектов, планировать серию экспериментов и обосновывать переход от лабораторного образца к устойчиво повторяемой технологии.

Направление «Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники» (ФГОС 2.2.3, аспирантура) готовит научные и инженерные кадры высшей квалификации для разработки и совершенствования технологических процессов и оборудования, используемых в производстве полупроводниковых материалов, микро- и наноэлектронных приборов, оптоэлектроники и силовой электроники. Аспиранты изучают физико-химические основы технологий, методы синтеза и обработки материалов, а также принципы проектирования и эксплуатации технологического оборудования. Программа направлена на формирование навыков научно-исследовательской и опытно-конструкторской деятельности, позволяющих создавать инновационные материалы и приборы с улучшенными характеристиками. Ключевые дисциплины включают: «Физика и химия полупроводников», «Технология микроэлектроники», «Оборудование для производства приборов электронной техники», «Методы диагностики материалов и структур», «Моделирование технологических процессов». Студенты изучают процессы эпитаксии, литографии, травления, легирования, осаждения тонких пленок, а также современные методы контроля качества и анализа дефектов. Особое внимание уделяется нанотехнологиям, молекулярно-лучевой эпитаксии и плазменным технологиям. Выпускник получает глубокие знания в области физики конденсированного состояния, химии материалов, технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Он владеет методами проектирования технологических процессов, выбора и оптимизации оборудования, проведения научных экспериментов и обработки результатов. Ключевые компетенции: способность разрабатывать новые материалы с заданными свойствами, совершенствовать существующие технологии, проводить патентные исследования и внедрять разработки в производство. Направление востребовано в микроэлектронике, оптоэлектронике, солнечной энергетике, производстве сенсоров и силовых полупроводниковых приборов. Особенность — ориентация на создание материалов и приборов с экстремальными характеристиками: высокой частотой, мощностью, радиационной стойкостью. Выпускники могут работать в научно-исследовательских институтах (ФТИ им. Иоффе, ИСИЭЗ РАН), на предприятиях (Микрон, Ангстрем, Эпиэл), а также в R&D-центрах международных корпораций.

Выпускники могут работать инженерами-технологами, научными сотрудниками, руководителями лабораторий на предприятиях микроэлектроники, оптоэлектроники и фотоники. Конкретные должности: инженер-технолог по эпитаксии, инженер по литографии, специалист по плазменным процессам, разработчик технологических процессов, инженер по контролю качества. Также возможна карьера в академических институтах (научный сотрудник, заведующий лабораторией) или в стартапах в области новых материалов. Рынок труда испытывает дефицит специалистов данного профиля, особенно в области нанотехнологий и силовой электроники, что обеспечивает высокую востребованность и конкурентоспособную зарплату.