Электроника и наноэлектроника

в МИСиС · Москва

Кто заказывал целевиков в 2025

Министерство Здравоохранения Краснодарского Края · 1 заявл.

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026	265	—	100	—	—
2025	248	236	50	3	406 000 ₽
2024	238	210	—	—	—
2023	217	190	—	—	—
2022	247	190	—	—	—
2021	219	129	—	—	—
2018	239	120	50	6	—

Программа «Электроника и наноэлектроника» в НИТУ МИСиС готовит инженеров, способных работать на стыке классической микроэлектроники и современных наноматериалов. Студенты изучают физику полупроводников, технологию создания интегральных схем и приборов наноэлектроники, а также методы проектирования электронной компонентной базы. Особенность подготовки — акцент на материаловедческий аспект: в вузе с историей в металлургии и материаловедении вас научат не только схемотехнике, но и тому, как создавать и исследовать новые материалы для чипов, сенсоров и силовой электроники. В программе много лабораторных работ с реальным оборудованием для нанодиагностики и литографии, что редко встречается на бакалавриате других вузов. Вуз силён именно в материаловедческой составляющей направления: лаборатории оснащены сканирующими зондовыми микроскопами, установками для ионно-лучевого травления и зондовыми станциями для тестирования наноструктур. Стоимость обучения на платной основе не указана, но по сравнению с московскими техническими вузами сопоставимого уровня она обычно находится в диапазоне 250–350 тысяч рублей в год. Для поступления принимаются результаты ЕГЭ по физике, информатике, химии, математике и русскому языку — широкий набор предметов даёт шанс абитуриентам с разным профилем. Программа подойдёт тем, кто хочет не просто собирать электронику, а разрабатывать её компонентную базу — от транзисторов до датчиков для «умной» техники. Это выбор для тех, кого увлекает физика твёрдого тела, химия материалов и микротехнологии. Перспективы выпускников связаны с R&D-центрами микроэлектроники (например, в «Микроне» или «Ангстреме»), оборонно-промышленным комплексом и стартапами в области сенсорики и фотоники. Учитывая курс на импортозамещение электроники в России, специалисты по разработке отечественных чипов и наноматериалов сейчас особенно востребованы.

Направление «Электроника и наноэлектроника» (ФГОС 11.03.04) готовит бакалавров, способных разрабатывать, проектировать и эксплуатировать электронные приборы и устройства, включая наноразмерные компоненты. Студенты изучают физические принципы работы полупроводников, микро- и наноэлектроники, а также методы схемотехнического и системного проектирования. Программа сочетает фундаментальную физическую подготовку с инженерными дисциплинами, что позволяет выпускникам работать на стыке науки и технологий. Ключевые дисциплины: физика полупроводников, микроэлектроника, наноэлектроника, схемотехника, цифровая и аналоговая электроника, материаловедение электронных компонентов, технология интегральных схем, микропроцессорные системы, САПР электронных устройств. Студенты осваивают методы моделирования и проектирования на уровне транзисторов и микросхем, знакомятся с современными технологиями литографии, эпитаксии и наноструктурирования. Выпускники получают компетенции в области разработки электронных компонентов, анализа и синтеза электрических схем, использования измерительного оборудования, программирования микроконтроллеров, а также навыки работы в CAD-системах (Cadence, Altium Designer, KLayout). Они способны решать задачи от выбора материалов до тестирования готовых устройств, обладают знаниями в области физики твердого тела, квантовой механики и термодинамики применительно к электронике. Направление востребовано в высокотехнологичных отраслях: микроэлектроника, приборостроение, телекоммуникации, аэрокосмическая промышленность, медицинская техника, интернет вещей. Особенность — акцент на наноразмерные структуры (квантовые точки, углеродные нанотрубки, графен), что открывает перспективы создания устройств с новыми свойствами. Выпускники востребованы в научно-исследовательских институтах, на предприятиях по производству полупроводников (например, Микрон, Ангстрем) и в компаниях-разработчиках электроники.

Выпускники могут работать инженерами-схемотехниками, разработчиками интегральных схем, инженерами по микроэлектронике, технологами полупроводникового производства, специалистами по САПР, инженерами-исследователями в области наноэлектроники. Востребованы в компаниях: YADRO, GS Group, Element (бывшая АО «Элемент»), НПП «Пульсар», НИИ микроэлектроники, а также в R&D-центрах транснациональных корпораций (Intel, Samsung, TSMC). Перспективы: рост спроса на специалистов в связи с импортозамещением электронной компонентной базы и развитием квантовых вычислений, нанофотоники, гибкой электроники. Средняя зарплата начинающего специалиста — от 60 тыс. руб., опытного — от 150 тыс. руб.