Аспирантура
1.3.8
форма обучения: очная
Физика конденсированного состояния
в МИЭТ · Зеленоград
«Физика конденсированного состояния» — программа уровня «аспирантура»
в вузе МИЭТ (Зеленоград),
направление подготовки 1.3.8 «Физика конденсированного состояния».
Бюджетных мест — 2, платных — 0. Ниже — динамика баллов по годам, количество мест и стоимость.
📋 Конкурс на эту программу — приём 2026
Живые конкурсные списки по всем видам мест — основные, целевая, особая и отдельная квоты.
«Порог сейчас» считается по всем подавшим и почти всегда завышен: большинство стоящих выше
уйдут в другие вузы. Реальную границу лучше показывает «проходной по согласиям»,
а по завершении кампании — балл с пометкой «приказ»: фактический проходной последнего
зачисленного (на платных местах — по договорам и оплате).
Обновлено: 2026-08-18 16:48:44.
| Вид мест / форма |
Мест |
Подано |
СогласийСколько человек подали согласие на зачисление именно сюда. Согласие можно держать только в одном вузе на одном направлении, поэтому это самые реальные претенденты на места. |
ПроходнойС пометкой «приказ» — фактический балл последнего зачисленного по приказу (для платных мест — по договорам и оплате). Без пометки — проходной по согласиям: балл последнего человека С СОГЛАСИЕМ, помещающегося в число мест. «—» — границы нет: либо приказ по группе не публиковался, либо согласий меньше, чем мест. |
Порог по всемСумма баллов последнего в пределах мест, если считать ВСЕХ подавших. Почти всегда завышен: большинство стоящих выше уйдут в другие вузы или на свои первые приоритеты. Не финальный проходной. |
|
|
Основные места в рамках КЦП Очная · Аспирантура
|
2 |
2 |
2 |
85 |
85 |
⭐ В план Список → |
История приёма
| Год |
БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году. |
ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году. |
Мест БЧисло бюджетных мест в этом году. |
Мест ПЧисло платных мест в этом году. |
Цена/год |
|
2026 |
85 |
— |
2 |
0 |
— |
Об обучении на программе
Аспиранты изучают свойства твёрдых тел и других конденсированных сред, связывая их атомное строение с электрическими, магнитными, оптическими и механическими характеристиками. Темы диссертаций могут касаться полупроводников, тонких плёнок, наноструктур, дефектов кристаллов, фазовых переходов и материалов для электронной компонентной базы. Осваиваются спектроскопия, микроскопия, электрические измерения, структурный анализ, изготовление образцов и численное моделирование. Экспериментальные результаты сопоставляются с физической моделью материала.
МИЭТ расположен в Зеленограде и исторически связан с микроэлектроникой и приборостроением. Поэтому физика конденсированного состояния здесь имеет непосредственный выход к материалам и структурам, используемым в электронике. Среда национального исследовательского университета и соседство с предприятиями электронного кластера позволяют видеть полный путь от фундаментального свойства до технологического ограничения устройства, не подменяя физическое исследование инженерной доработкой.
Программа подойдёт физикам, материаловедам и инженерам, которым интересна экспериментальная работа на стыке фундаментальной науки и микроэлектроники. Нужны аккуратность измерений, математическая подготовка и терпение при воспроизведении образцов. Степень кандидата физико-математических наук полезна для научной и преподавательской карьеры, разработки электронных материалов, исследовательской работы на производстве и экспертной оценки технологий.
О направлении «Физика конденсированного состояния»
Направление «Физика конденсированного состояния» (ФГОС 1.3.8) в аспирантуре готовит исследователей и разработчиков, способных изучать фундаментальные свойства твердых и жидких тел, а также сложных систем с упорядоченной структурой. В основе обучения лежит понимание квантово-механических принципов, статистической физики и теории взаимодействия частиц в конденсированных средах. Аспиранты осваивают современные экспериментальные и теоретические методы, включая компьютерное моделирование, для прогнозирования и анализа физических свойств материалов.
Ключевые дисциплины: теория твердого тела, физика полупроводников и диэлектриков, физика магнитных явлений, физика низких температур, спектроскопия конденсированных сред, методы выращивания кристаллов и тонких пленок. Студенты изучают электронную структуру, фононные спектры, фазовые переходы, транспортные явления, сверхпроводимость и наноструктурированные материалы. Большое внимание уделяется экспериментальным методикам: рентгеноструктурный анализ, сканирующая микроскопия, нейтронография, ЯМР и ЭПР.
Выпускник получает глубокие знания в области физики конденсированного состояния, навыки планирования и проведения научных экспериментов, умение обрабатывать данные с помощью статистических методов и программирования, компетенции в разработке новых материалов с заданными свойствами. Он способен решать задачи от синтеза образцов до интерпретации сложных спектров и создания теоретических моделей.
Применение: разработка электронных компонентов (транзисторы, датчики), создание сверхпроводящих устройств, магнитных материалов для хранения информации, фотоники, солнечной энергетики, термоэлектриков и квантовых компьютеров. Направление интересно своей фундаментальностью и прямым выходом в передовые технологии; особенность — междисциплинарность на стыке физики, химии и материаловедения.
Все вузы по направлению «Физика конденсированного состояния» →
Кем работать
Выпускники работают научными сотрудниками в академических институтах (РАН, Курчатовский институт), исследовательских центрах (Сколково, Росатом) и лабораториях при вузах. Востребованы как специалисты по материаловедению в высокотехнологичных компаниях (компании микроэлектроники, приборостроения, аэрокосмической отрасли). Возможные должности: физик-исследователь, инженер-исследователь, разработчик новых материалов, специалист по характеризации образцов, преподаватель. Перспективы — руководитель лаборатории, заведующий кафедрой, эксперт в области нанотехнологий. Рынок труда стабильно востребован, особенно в секторах, связанных с импортозамещением электроники и созданием новых функциональных материалов.