Электроника и наноэлектроника

в МИЭТ · Зеленоград

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026	65	—	30	29	410 000 ₽
2025	—	—	76	20	374 000 ₽
2018	—	—	74	—	—

Магистерская программа «Электроника и наноэлектроника» в МИЭТ готовит инженеров-исследователей и разработчиков для работы с микро- и наноразмерными электронными компонентами. Студенты изучают физику полупроводниковых приборов, технологии интегральных схем, материаловедение наноструктур, а также методы проектирования элементной базы современной электроники. Особый акцент сделан на практическую работу в чистых комнатах и лабораториях, где осваивают процессы литографии, травления и сборки наноустройств — от сенсоров до процессоров. МИЭТ — головной вуз зеленоградского микроэлектронного кластера, поэтому программа напрямую связана с реальными задачами таких компаний, как «Микрон», «Ангстрем» и «НИИМЭ». Программа подойдет тем, кто хочет заниматься разработкой и производством электронных компонентов — от транзисторов до сложных микросхем. Выпускники востребованы как в R&D-центрах микроэлектронных заводов, так и в проектных бюро, создающих чипы для космоса, обороны, медицины и потребительской электроники. Карьерные перспективы связаны с ростом от инженера-технолога до руководителя направления в условиях импортозамещения и развития отечественной электроники.

Направление «Электроника и наноэлектроника» (11.04.04) в магистратуре готовит специалистов, способных разрабатывать и исследовать электронные компоненты и устройства, включая наноразмерные структуры. Программа объединяет физику полупроводников, микро- и наноэлектронику, а также проектирование интегральных схем. Студенты изучают современные методы синтеза наноматериалов, технологии литографии и моделирования приборов на квантовых эффектах. Ключевые дисциплины: «Физика наноструктур», «Технология микро- и наноэлектроники», «Проектирование СБИС», «Материалы электронной техники», «Квантовая электроника», «Методы диагностики наноматериалов». В ходе обучения осваиваются работа с CAD-системами (Cadence, Synopsys), численное моделирование (TCAD, COMSOL), методы оптической и электронной микроскопии, а также основы программирования для автоматизации эксперимента. Выпускники владеют навыками разработки технологических процессов создания полупроводниковых приборов, проектирования аналоговых и цифровых микросхем, анализа характеристик наноэлектронных устройств. Они способны проводить научные исследования, оптимизировать параметры приборов и внедрять инновационные решения в производство. Области применения: микроэлектроника, оптоэлектроника, силовая электроника, сенсорика, фотоника, квантовые вычисления. Направление особенно интересно в контексте перехода к посткремниевой электронике, развитию гибкой электроники и интернета вещей. Особенность — фокус на наноразмерные эффекты, что открывает возможности для создания сверхбыстрых и энергоэффективных устройств нового поколения.

Выпускники востребованы в НИИ (ФТИ им. Иоффе, ИСВЧПЭ РАН), на предприятиях микроэлектроники (Микрон, Ангстрем, GS Group), в R&D-центрах (Яндекс, Сбер, Росатом). Возможные должности: инженер-технолог по напылению и литографии, разработчик интегральных схем, специалист по наноматериалам, инженер-исследователь в области наноэлектроники, проектировщик приборов на квантовых точках. Перспективы: рост до руководителя группы или главного технолога, участие в проектах по импортозамещению электронной компонентной базы. Рынок труда испытывает дефицит таких специалистов, особенно в сегменте проектирования СБИС и нанотехнологий.