Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств — МЭИ (Москва): проходной балл, места, ЕГЭ | Поступашкин
← Каталог / МЭИ / Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
Аспирантура 2.2.2 форма обучения: очная

Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств

в МЭИ · Москва

«Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств» — программа уровня «аспирантура» в вузе МЭИ (Москва), направление подготовки 2.2.2 «Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств». Бюджетных мест — 0, платных — 1, стоимость обучения — 480 000 ₽/год. Ниже — динамика баллов по годам, количество мест и стоимость.

📋 Конкурс на эту программу — приём 2026

Живые конкурсные списки по всем видам мест — основные, целевая, особая и отдельная квоты. «Порог сейчас» считается по всем подавшим и почти всегда завышен: большинство стоящих выше уйдут в другие вузы. Реальную границу лучше показывает «проходной по согласиям», а по завершении кампании — балл с пометкой «приказ»: фактический проходной последнего зачисленного (на платных местах — по договорам и оплате). Обновлено: 2026-11-05 04:04:30.

Вид мест / форма Мест Подано СогласийСколько человек подали согласие на зачисление именно сюда. Согласие можно держать только в одном вузе на одном направлении, поэтому это самые реальные претенденты на места. ПроходнойС пометкой «приказ» — фактический балл последнего зачисленного по приказу (для платных мест — по договорам и оплате). Без пометки — проходной по согласиям: балл последнего человека С СОГЛАСИЕМ, помещающегося в число мест. «—» — границы нет: либо приказ по группе не публиковался, либо согласий меньше, чем мест. Порог по всемСумма баллов последнего в пределах мест, если считать ВСЕХ подавших. Почти всегда завышен: большинство стоящих выше уйдут в другие вузы или на свои первые приоритеты. Не финальный проходной.
Платные места Очная · Аспирантура 1 0 0 — — Список →
Все конкурсные группы вуза + найти себя по коду поступающего →

История приёма

Год БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году. ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году. Мест БЧисло бюджетных мест в этом году. Мест ПЧисло платных мест в этом году. Цена/год
2026 ориентир. — — 0 1 480 000 ₽

Об обучении на программе

Аспиранты исследуют материалы, структуры и технологические процессы, на которых основаны компоненты микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых устройств. Диссертации могут быть посвящены полупроводниковым структурам, тонким плёнкам, контактам, сенсорам, элементам памяти, одноэлектронным и сверхпроводниковым устройствам, а также механизмам деградации. Осваиваются физическое и схемотехническое моделирование, методы получения структур, электрические и оптические измерения, микроскопия, анализ поверхности и обработка экспериментальных данных. В МЭИ направление опирается на сочетание электроники, физики и инженерного проектирования. Компонент рассматривается на нескольких уровнях – от свойств материала и границ раздела до параметров прибора и его места в системе. Исследовательская подготовка требует контролировать технологический маршрут, оценивать разброс характеристик, находить причины отказов и сопоставлять измерения с моделью. Энергетический и радиотехнический профиль вуза задаёт широкий круг возможных применений электронных компонентов. Программа подойдёт выпускникам электроники, физики, материаловедения, нанотехнологий и радиотехники. Степень кандидата технических или физико-математических наук подтверждает способность самостоятельно создавать и исследовать новую компонентную базу. Она полезна для преподавания, работы в научных и инженерных подразделениях микроэлектроники, разработки датчиков и квантовых устройств. Выпускник умеет связывать технологию с параметрами элемента, организовывать испытания и научно обосновывать улучшение конструкции.

О направлении «Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств»

Специальность изучает физические основы, конструкции, материалы и технологии создания компонентов микро- и наноэлектроники и квантовых устройств. Объектами являются полупроводниковые приборы, интегральные структуры, сенсоры, элементы памяти, фотонные компоненты, сверхпроводниковые и иные квантовые устройства. От схемотехники направление отличается уровнем отдельного элемента и технологического процесса, от физики конденсированного состояния – инженерной целью создания компонента. Исследования охватывают новые полупроводниковые материалы, наноструктуры, транзисторы, диоды, микромеханические системы, приборы силовой и СВЧ-электроники, фотодетекторы и квантовые элементы. Типичные диссертации посвящены интерфейсам тонких пленок, механизмам деградации, литографии, моделированию переноса заряда, элементам энергонезависимой памяти, сенсорам, одиночным фотонным детекторам и повышению выхода годных изделий. Аспирант осваивает физику полупроводников и квантовых структур, микро- и нанотехнологию, моделирование приборов, вакуумное осаждение, литографию, микроскопию, спектроскопию и электрические измерения. Он учится изготавливать тестовые структуры, анализировать дефекты и связывать технологические режимы с параметрами прибора. Обычно сдаются экзамены по истории и философии науки, иностранному языку и профильной специальности. Итог – диссертация на соискание степени кандидата технических наук. Результаты применяются в производстве электронной компонентной базы, вычислительной и измерительной техники, связи, силовой электроники, фотоники и квантовых технологий. Направление связано с материаловедением, химией поверхности, физикой твердого тела, вакуумной техникой, метрологией и схемотехникой.
Все вузы по направлению «Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств» →

Кем работать

Кандидаты технических наук работают в микроэлектронных НИИ и вузах, дизайн-центрах, на предприятиях электронной промышленности, в технологических и испытательных лабораториях. Должности – научный сотрудник, преподаватель, инженер-технолог, разработчик полупроводниковых приборов, специалист по моделированию, инженер по надежности, исследователь квантовых устройств или руководитель НИОКР. Степень нужна для исследований новых материалов и приборных принципов, преподавания и руководства разработками. В производстве она помогает оптимизировать технологический маршрут, объяснять причины дефектов и деградации, создавать тестовые структуры и переводить лабораторный результат в воспроизводимый компонент.
Заметили ошибку или чего-то не хватает? Расскажите нам — починим баг или добавим новую возможность. Мы читаем каждое сообщение.