Электроника и наноэлектроника

в МЭИ · Москва

Заказчики целевого — приём 2026

Акционерное Общество "Нпо "Орион" · 1 мест

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026	85	—	32	40	185 000 ₽
2025	—	—	60	51	420 000 ₽

Магистерская программа «Электроника и наноэлектроника» в МЭИ готовит инженеров-исследователей, способных проектировать и разрабатывать компоненты микро- и наноэлектроники, включая полупроводниковые приборы, интегральные схемы и датчики. Особенность подготовки — прикладной уклон: студенты работают на оборудовании лабораторий кафедр, изучают моделирование наноразмерных структур, физику гетероструктур и методы диагностики материалов. Акцент сделан на энергоэффективную электронику и силовые полупроводники, что напрямую связано с профилем вуза. МЭИ как национальный исследовательский университет имеет сильную научно-техническую базу в области силовой электроники и микроэлектроники, что позволяет студентам участвовать в реальных НИОКР, в том числе по заказам энергетических и радиотехнических предприятий. Это конкурсная и узкая программа, требующая высокой мотивации. Программа подойдёт бакалаврам и специалистам по электронике, физике твёрдого тела или смежным направлениям, которые хотят углубиться в проектирование наноразмерных устройств. После выпуска возможна карьера в R&D-центрах (например, АО «НИИЭТ», «Микрон»), на предприятиях энергомашиностроения или в лабораториях, занимающихся разработкой новых материалов для электроники. Выпускники востребованы как инженеры-технологи, разработчики элементной базы и научные сотрудники.

Направление «Электроника и наноэлектроника» (11.04.04) в магистратуре готовит специалистов, способных разрабатывать и исследовать электронные компоненты и устройства, включая наноразмерные структуры. Программа объединяет физику полупроводников, микро- и наноэлектронику, а также проектирование интегральных схем. Студенты изучают современные методы синтеза наноматериалов, технологии литографии и моделирования приборов на квантовых эффектах. Ключевые дисциплины: «Физика наноструктур», «Технология микро- и наноэлектроники», «Проектирование СБИС», «Материалы электронной техники», «Квантовая электроника», «Методы диагностики наноматериалов». В ходе обучения осваиваются работа с CAD-системами (Cadence, Synopsys), численное моделирование (TCAD, COMSOL), методы оптической и электронной микроскопии, а также основы программирования для автоматизации эксперимента. Выпускники владеют навыками разработки технологических процессов создания полупроводниковых приборов, проектирования аналоговых и цифровых микросхем, анализа характеристик наноэлектронных устройств. Они способны проводить научные исследования, оптимизировать параметры приборов и внедрять инновационные решения в производство. Области применения: микроэлектроника, оптоэлектроника, силовая электроника, сенсорика, фотоника, квантовые вычисления. Направление особенно интересно в контексте перехода к посткремниевой электронике, развитию гибкой электроники и интернета вещей. Особенность — фокус на наноразмерные эффекты, что открывает возможности для создания сверхбыстрых и энергоэффективных устройств нового поколения.

Выпускники востребованы в НИИ (ФТИ им. Иоффе, ИСВЧПЭ РАН), на предприятиях микроэлектроники (Микрон, Ангстрем, GS Group), в R&D-центрах (Яндекс, Сбер, Росатом). Возможные должности: инженер-технолог по напылению и литографии, разработчик интегральных схем, специалист по наноматериалам, инженер-исследователь в области наноэлектроники, проектировщик приборов на квантовых точках. Перспективы: рост до руководителя группы или главного технолога, участие в проектах по импортозамещению электронной компонентной базы. Рынок труда испытывает дефицит таких специалистов, особенно в сегменте проектирования СБИС и нанотехнологий.