ИСЭ СО РАН

Институт сильноточной электроники СО РАН (ИСЭ СО РАН) в Томске — это не вуз в классическом понимании, а научно-исследовательский институт, входящий в структуру Российской академии наук. Он не ведёт бакалавриат или магистратуру как самостоятельное учебное заведение: в каталоге вузов значится с нулём образовательных программ. Его профиль — фундаментальные и прикладные исследования в области сильноточной электроники, физики плазмы, мощных импульсных систем и ускорительной техники. Известен институт разработками в сфере генераторов сверхмощных токов, электронно-лучевых технологий и вакуумной микроэлектроники. Абитуриенту важно понимать: это не место для получения первого высшего образования, а база для аспирантуры, стажировок или работы после окончания профильного вуза. Формально факультетов и направлений подготовки в институте нет — он занимается исключительно наукой. Сильные стороны института — экспериментальная физика, создание уникальных источников излучения и плазменных установок. Подойдёт институт тем, кто уже имеет степень бакалавра или магистра по физике, радиофизике, электронике или смежным инженерным специальностям и нацелен на научную карьеру в РАН. Если вы ищете классическое обучение с лекциями и зачётами, это не ваш вариант. Условия: собственного общежития или военного учебного центра у института нет. Бюджетные места для аспирантуры выделяются через систему РАН — конкурс существует, но он специфический, ориентированный на научные проекты. Особенность: обучение здесь — это работа в лабораториях под руководством действующих учёных, часто с доступом к уникальному оборудованию (например, сильноточным ускорителям). Стипендия аспиранта может быть дополнена грантом или зарплатой младшего научного сотрудника. Практичный вывод: ИСЭ СО РАН — это не для поступления после школы, а для тех, кто уже выбрал физику или электронику и хочет заниматься наукой на уровне кандидатской диссертации. Обратите внимание: вам нужно сначала окончить бакалавриат/магистратуру в ТГУ, ТПУ или другом вузе с сильной физической школой, затем — договариваться с конкретной лабораторией института. Жильё придётся искать самостоятельно, а военкомат — решать отдельно. Если ваша цель — реальная научная работа, а не диплом «для корочки», это место может дать уникальный опыт.

Конкурсная группа	Форма / места	Мест	Подано	СогласийСколько человек подали согласие на зачисление именно сюда. Согласие можно держать только в одном вузе на одном направлении, поэтому это самые реальные претенденты на места.	ПроходнойС пометкой «приказ» — фактический балл последнего зачисленного по приказу (для платных мест — по договорам и оплате). Без пометки — порог по заявлениям: сумма баллов последнего, кто проходит по местам среди всех подавших.
2.2.1 Вакуумная и плазменная электроника → Аспирантура ⭐ В план	Очная · Основные места в рамках КЦП	4	4	3	7
1.3.13 Электрофизика, электрофизические установки → Аспирантура ⭐ В план	Очная · Основные места в рамках КЦП	2	2	2	8
1.3.5 Физическая электроника → Аспирантура ⭐ В план	Очная · Основные места в рамках КЦП	3	1	1	—

Все списки + найти себя по номеру заявления →