Электроника и наноэлектроника

в ГУАП · Санкт-Петербург

Год	БюджетПроходной балл на бюджетные места — сумма баллов последнего зачисленного в этом году.	ПлатноеПроходной балл на платные места в этом году.	Мест БЧисло бюджетных мест в этом году.	Мест ПЧисло платных мест в этом году.	Цена/год
2026	100	—	15	2	300 000 ₽
2025	—	—	15	2	300 000 ₽
2018	—	—	15	3	—

Магистерская программа «Электроника и наноэлектроника» в ГУАП ориентирована на подготовку инженеров-исследователей, способных работать с современной элементной базой и микросистемами. В рамках обучения студенты осваивают проектирование и моделирование твердотельной электроники, наноструктурированных материалов и приборов на их основе. Особый акцент сделан на цифровое управление электронными устройствами и методы обработки сигналов, что позволяет выпускникам решать задачи от разработки топологии микросхем до создания систем на кристалле. Практическая часть включает работу с программными пакетами САПР и измерительным оборудованием в лабораториях вуза. ГУАП исторически силён в направлениях, связанных с приборостроением и аэрокосмической электроникой, что даёт программе прикладной характер. Вуз располагает базой для НИОКР, включая центры коллективного пользования, что позволяет магистрантам участвовать в реальных проектах оборонно-промышленного комплекса. Программа подойдёт выпускникам бакалавриата технических специальностей, которые хотят углубиться в физику полупроводников, микро- и наноэлектронику, а также тем, кто планирует карьеру в R&D-отделах предприятий радиоэлектронной промышленности. После выпуска возможна работа инженером-схемотехником, разработчиком микроэлектронных устройств или специалистом по наноматериалам в компаниях Санкт-Петербурга (например, в структурах «Роскосмоса» или «Ростеха»), а также продолжение научной деятельности в аспирантуре ГУАП по смежным направлениям.

Направление «Электроника и наноэлектроника» (11.04.04) в магистратуре готовит специалистов, способных разрабатывать и исследовать электронные компоненты и устройства, включая наноразмерные структуры. Программа объединяет физику полупроводников, микро- и наноэлектронику, а также проектирование интегральных схем. Студенты изучают современные методы синтеза наноматериалов, технологии литографии и моделирования приборов на квантовых эффектах. Ключевые дисциплины: «Физика наноструктур», «Технология микро- и наноэлектроники», «Проектирование СБИС», «Материалы электронной техники», «Квантовая электроника», «Методы диагностики наноматериалов». В ходе обучения осваиваются работа с CAD-системами (Cadence, Synopsys), численное моделирование (TCAD, COMSOL), методы оптической и электронной микроскопии, а также основы программирования для автоматизации эксперимента. Выпускники владеют навыками разработки технологических процессов создания полупроводниковых приборов, проектирования аналоговых и цифровых микросхем, анализа характеристик наноэлектронных устройств. Они способны проводить научные исследования, оптимизировать параметры приборов и внедрять инновационные решения в производство. Области применения: микроэлектроника, оптоэлектроника, силовая электроника, сенсорика, фотоника, квантовые вычисления. Направление особенно интересно в контексте перехода к посткремниевой электронике, развитию гибкой электроники и интернета вещей. Особенность — фокус на наноразмерные эффекты, что открывает возможности для создания сверхбыстрых и энергоэффективных устройств нового поколения.

Выпускники востребованы в НИИ (ФТИ им. Иоффе, ИСВЧПЭ РАН), на предприятиях микроэлектроники (Микрон, Ангстрем, GS Group), в R&D-центрах (Яндекс, Сбер, Росатом). Возможные должности: инженер-технолог по напылению и литографии, разработчик интегральных схем, специалист по наноматериалам, инженер-исследователь в области наноэлектроники, проектировщик приборов на квантовых точках. Перспективы: рост до руководителя группы или главного технолога, участие в проектах по импортозамещению электронной компонентной базы. Рынок труда испытывает дефицит таких специалистов, особенно в сегменте проектирования СБИС и нанотехнологий.